Für moderne Halbleiterbearbeitungstechniken wie Vakuumbeschichtung und DRIE ist eine schnelle Regelung verschiedener Gase nötig.
Für die saubere Oberflächenbearbeitung von Wafern mit DRIE (deep reactive ion etching) müssen verschiedene Prozessgase mit hoher Geschwindigkeit gewechselt werden. Durch die schnelle Reaktionszeit der Sensirion MFC steigt die Qualität dieser Prozesse.
Bei der Bearbeitung von Wafern mit DRIE (deep reactive ion etching) müssen verschiedene Prozessgase mit hoher Geschwindigkeit gewechselt werden. Durch die schnelle Reaktionszeit unserer MFC steigt die Geschwindigkeit dieser Prozesse.
Durch die hohe Langzeitstabilität müssen Anlagen nicht gestoppt werden, um die MFCs erneut zu kalibrieren.
Führende Anbieter im Bereich der Halbleiterbearbeitung mittels DRIE setzen bereits seit Jahren auf die schnellen, hochgenauen und zuverlässigen Masseflussregler von Sensirion.